2018年8月27日，德國慕尼黑訊——更高密度的低功率SMPS設計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出CoolMOS™ P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結MOSFET器件。該器件甚至能達到最嚴格的設計要求：用于照明、智能電表、移動充電器、筆記本適配器、AUX電源和工業SMPS應用。這種全新半導體解決方案能實現出色的散熱性能及能源效率，減少用料并降低總生產成本。
950 V CoolMOS P7的特性包括出色的DPAK導通電阻，能實現更高密度的設計。此外，出色的VGS(th)和最低VGS(th)容差使該MOSFET器件易于驅動和設計。與英飛凌業界領先的P7系列其他成員類似的是，該器件集成齊納二極管ESD保護機制。這可以提高裝配生產量，從而降低成本，并減少與ESD有關的生產問題。
950 V CoolMOS P7能使效率提升達1%，并且MOSFET溫度得以降低2 ˚C到10 ˚C，實現更高能效的設計。相比前幾代CoolMOS系列而言，該器件還將開關損耗降低達58%。較之市場上的競爭技術，這方面的性能提升超過50%。
950 V CoolMOS P7采用TO-220 FullPAK、TO-251 IPAK LL、TO-252 DPAK和SOT-223封裝。這樣就可以從通孔插裝器件（THD）變為表面貼裝器件（SMD）。
