2017年3月16日，德國慕尼黑訊—英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步壯大其62 mm 封裝IGBT模塊陣容。新推出的功率模塊可滿足提高功率密度而不增加封裝尺寸這一與日俱增的需求，這應歸功于將更大面積的芯片和經改良的DCB襯底應用于成熟的62 mm封裝而得以實現。1200 V阻斷電壓模塊的典型應用包括：變頻器、太陽能逆變器和不間斷電源（UPS），1700 V阻斷電壓模塊則適用于中壓變頻器。
1200 V阻斷電壓的62 mm模塊的額定電流最高達到600A，1700 V阻斷電壓模塊最高可達500A，這讓英飛凌在這個額定電流級別上領先于競爭對手。該封裝配有尺寸符合工業標準的基板，因而可以輕松兼容現有設計。舉例來講，如用于變頻器，它可以將輸出功率提高20%。 這個產品組合采用IGBT4芯片——這是一項經實踐檢驗的成熟技術，十分穩定、可靠。
兩種型號的新功率模塊還可以提供“共發射極”配置，支持建立三電平拓撲（NPC2）。這樣一來，這些功率模塊可以高效地用于太陽能和UPS等對功率需求很高的應用領域。
供貨情況
全新62 mm功率模塊已投入量產，也可提供預涂導熱介質（TIM）的模塊。英飛凌還提供采用全新焊接技術的34 mm和50 mm封裝晶閘管、整流二極管模塊，完美匹配全新62 mm IGBT模塊的使用。更多信息請訪問
www.infineon.com/new62mm。
