2014年6月16日——英飛凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二極管，進一步擴展了碳化硅產品陣容。新的1200V碳化硅二極管在工作溫度范圍內提供超低正向電壓，其浪涌電流承受能力提高了一倍以上，并且具備卓越的散熱性能。得益于這些特性，該產品可以在太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、三相SMPS（開關電源）和電機驅動等應用中大大提高效率，并且可靠運行。

“第五代”碳化硅二極管采用了新的緊湊式芯片設計，將PN結設計融合到肖特基二極管單元場中。這種設計降低了芯片區的微分電阻。因此，二極管損耗比之上一代產品降低了多達30%，譬如在20 kHz頻率上以滿負荷工作的三相太陽能逆變器的前端升壓級中。

結溫為150°C時，典型正向電壓僅為1.7V，這比上一代產品降低了30%。這個值也是當前市場上的1200V碳化硅二極管中最低的正向電壓值。因此，這款新的碳化硅二極管特別適用于以相對較高負荷工作的應用，如不間斷電源系統。此外，即使工作在較低開關頻率下，也能提高系統效率。

取決于二極管電流等級，它可實現最高14倍于標稱電流的浪涌電流承受能力，這保證了二極管在應用發生浪涌電流時實現可靠運行。這樣便無需使用旁路二極管，從而降低了復雜度，減少了系統成本。

英飛凌IGBT和碳化硅分立功率器件營銷總監Roland Stele表示：“英飛凌致力于提供有助于客戶最大限度提高其設計效率的產品，新的第五代碳化硅二極管實現了這一目標。由于降低了二極管損耗，該產品適用于范圍更廣的開關頻率，同時，它具備更強的浪涌電流承受能力，可實現更高可靠性。最新一代英飛凌碳化硅肖特基二極管是朝著充分挖掘碳化硅材料潛力邁出的一大步�！�

在升壓拓撲和功率因素校正（PFC）升壓拓撲中結合新的1200V thinQ!碳化硅肖特基二極管和英飛凌出類拔萃的1200V Highspeed3 IGBT能夠全面提升系統性能。相比于采用傳統硅二極管的解決方案，通過降低導通損耗（這允許使用更小尺寸的散熱片或提高效率）和降低EMI（更小巧的更高性價比的EMI濾波器），不僅降低了二極管損耗，而且改善了Highspeed3 IGBT的性能。

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