2012年2月27日 – 應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN) 的NCV8871汽車級非同步升壓控制器榮獲《電子工程專輯》2012中國年度電子成就獎之“電源管理最佳產品獎”。

 

此中國年度電子成就獎表彰在中國大陸推動創新電子設計且在當今電子產業有頂尖表現的公司及

產品。

 

安森美半導體電源及便攜產品全球銷售及營銷高級總監鄭兆雄先生說：“我們的產品獲得業界權威獎項的表彰，我們備感榮幸；這獎項也有力地認可了我們的產品開發，證明了我們在汽車應用電源管理領域持續處于領先地位。我們將繼續致力于開發創新及高性能的技術和產品，提供高能效的汽車方案，簡化設計流程并縮短設計時間�！�

                            

NCV8871是一款輸入電壓范圍為3.2伏(V)至44 V的寬輸入電壓器件，能用于驅動外部N溝道MOSFET。 此器件包含的內部穩壓器為門驅動器提供電荷，它在休眠模式下的靜態電流為3.0微安(µA)，使功耗降至最低。它還具有可同步開關頻率特性，提供兩種分別可設定為典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本。峰值電流模式控制及內部斜坡補償確保這器件在寬汽車電池電壓范圍內穩定工作，并在電流限制值被超過的情況下，通過在開關周期的剩余部分關閉電源開關，確保這器件在電流故障條件下受到保護。這器件還藉熱關閉機制(溫度閾值為170 ℃)及3.1 V欠壓鎖定來提供更多保護。

 

NCV8871可靈活編程，能根據要求提供其它不同頻率以供選擇。更多其它選擇包括不同的斜坡補償值、限流設定點，以及配接多種MOSFET的不同門驅動電壓。這器件還支持多種拓撲結構配置，包括升壓、反激、單端初級電感轉換器(SEPIC)及多相。升壓拓撲結構下的輸出功率范圍為

數瓦(W)到最高200 W。

NCV8871的工作結點溫度范圍為−40 ℃至150℃。這器件采用無鉛、符合RoHS指令的SOIC-9封裝。