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            安森美半導體針對數字及混合信號ASIC推出具價格競爭力的0.18 µm CMOS制造工藝
            作者:佚名
            來源:本站原創
            更新時間:2009/11/11 16:39:00
            正文:

            這技術為汽車、工業、醫療和軍事應用客戶提供集成的低功率設計

            20091012 全球領先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)擴展定制晶圓代工能力,推出新的具價格競爭力、符合業界標準的0.18微米(µm) CMOS工藝技術。

            ONC18工藝是開發低功率及高集成度數字及混合信號專用集成電路(ASIC)的極佳平臺,用于汽車、工業及醫療應用;ONC18工藝的方案將在安森美半導體位于美國俄勒岡州Gresham8英寸晶圓制造廠制造,因此,預期對于尋求遵從國際武器貿易規章(ITAR)的合作伙伴、在美國國內生產的美國軍事應用設計人員而言,也具備吸引力。

            安森美半導體定制及晶圓代工分部總經理Rick Whitcomb說:“ONC18工藝使汽車、工業、醫療和軍事部門的設計人員可開發集成的低功率數字及混合信號ASIC,既快速又符合高性價比。這工藝的‘在岸’制造屬性尤其適用于美國軍事客戶,同時這工藝的持續開發計劃進一步彰顯安森美半導體致力于定制晶圓代工業務!

             
             
               
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