新的NTD49xx、NTMFS49x、NTTFS49x和NTMS49x系列30 V、N溝道器件提升開關性能及總能效

2009年10月28日 – 全球領先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝， 為計算機和游戲機應用中的同步降壓轉換器提供更高的開關性能。

新系列的MOSFET利用安森美半導體獲市場驗證的溝槽技術，提供優異的導通阻抗[RDS(on)]及更高的開關性能，用于個人計算機(PC)、服務器、游戲機、處理器穩壓電源(VRM)及負載點(POL)應用中的同步直流-直流(DC-DC)轉換器。直接替代NTD48x、NTMFS48x及NTMS48x系列的DPAK、SO-8FL及SOIC-8封裝方案，以及新的µ8FL 3.3 mm x 3.3 mm封裝方案，就其封裝尺寸而言，提供業界領先的低導通阻抗。

安森美半導體功率MOSFET產品副總裁兼總經理Paul Leonard說：“計算機和游戲機領域的電源管理設計工程師能夠利用安森美半導體最新的30 V溝槽MOSFET方案提升總能效。我們利用電源管理及封裝技術專長，為我們的客戶提供多種方案，以應對提升能效及節省空間等設計挑戰�！�