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安森美半導體領先的ESD保護技術擴展至應用于便攜電子產品的業界 |
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| 作者：佚名 |
| 來源：本站原創 |
| 更新時間：2009/9/27 15:07:00 |
| 正文： |
2009年6月
2009年6月19日 – 全球領先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出兩款采用最新的超小型0201雙硅片無引腳(Dual Silicon No-Lead ，DSN-2)封裝的靜電放電(ESD)保護器件。這DSN型封裝尺寸僅為 0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm，令工作的硅片百分之百地利用封裝面積，與采用塑模封裝的產品相比，提供顯著的性能/電路板面積比優勢。
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