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Diodes新型雙MOSFET組合式器件節省空間卻無損性能 |
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| 作者：佚名 |
| 來源：本站原創 |
| 更新時間：2009/9/27 13:59:00 |
| 正文： |
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對互補100V增強式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應用范圍包括直流風扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種48V應用。
Diodes 亞太區技術市場總監梁后權指出：“這個N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件，有助減省電路板空間及元件數目，同時簡化柵極驅動電路設計。比方說，SO8充分發揮了節省空間的功能，其占位面積只有31 mm2，僅為兩個SOT223 MOSFET的30%�！�
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